IGBT模塊發(fā)熱的原因分析

日期：2025-07-01 11:33

瀏覽次數(shù)：4025

摘要：由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過程要產(chǎn)生功率損耗即內(nèi)損耗，內(nèi)損耗引起發(fā)熱，溫度上升，IGBT溫度高低與器件內(nèi)損耗大小、芯片到環(huán)境的傳熱結(jié)構(gòu)、材料和器件冷卻方式以及環(huán)境溫度等有關(guān)。當(dāng)發(fā)熱和散熱相等時(shí)，器件達(dá)到穩(wěn)定溫升，處于均衡狀態(tài)，即穩(wěn)態(tài)。器件的芯片溫度不論在穩(wěn)態(tài)，還是在瞬態(tài)，都不允許超過器件允許工作溫度，即IGBT結(jié)溫，否則，將引起器件電或熱的不穩(wěn)定而導(dǎo)致器件失效。 IGBT模塊發(fā)熱，效率低解決方法 1、減小柵極電阻，可加快開關(guān)器件通斷，減小開關(guān)損耗從而降低溫度，但不要太...

由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過程要產(chǎn)生功率損耗即內(nèi)損耗，內(nèi)損耗引起發(fā)熱，溫度上升，IGBT溫度高低與器件內(nèi)損耗大小、芯片到環(huán)境的傳熱結(jié)構(gòu)、材料和器件冷卻方式以及環(huán)境溫度等有關(guān)。當(dāng)發(fā)熱和散熱相等時(shí)，器件達(dá)到穩(wěn)定溫升，處于均衡狀態(tài)，即穩(wěn)態(tài)。器件的芯片溫度不論在穩(wěn)態(tài)，還是在瞬態(tài)，都不允許超過器件允許工作溫度，即IGBT結(jié)溫，否則，將引起器件電或熱的不穩(wěn)定而導(dǎo)致器件失效。

IGBT模塊發(fā)熱，效率低解決方法

1、減小柵極電阻，可加快開關(guān)器件通斷，減小開關(guān)損耗從而降低溫度，但不要太小具體需要調(diào)試

2、加適當(dāng)阻容吸收電路

3、檢查硅膠涂抹、即散熱片、風(fēng)扇等問題。

尊敬的客戶：

您好，我司是一支技術(shù)力量雄厚的高素質(zhì)的開發(fā)群體，為廣大用戶提供高品質(zhì)產(chǎn)品、完整的解決方案和上等的技術(shù)服務(wù)公司。主要產(chǎn)品有英飛凌igbt，igbt模塊，三菱igbt，英飛凌模塊等。本企業(yè)堅(jiān)持以誠信立業(yè)、以品質(zhì)守業(yè)、以進(jìn)取興業(yè)的宗旨，以更堅(jiān)定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動(dòng)化行業(yè)作出貢獻(xiàn)，歡迎新老顧客放心選購自己心儀的產(chǎn)品。我們將竭誠為您服務(wù)！

下一篇：英飛凌igbt阻斷與閂鎖
上一篇：英飛凌igbt模塊原理

京公網(wǎng)安備 11010502035422號