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    igbt模塊功能介紹

    日期:2025-07-01 23:39
    瀏覽次數(shù):610
    摘要: igbt模塊功能介紹 IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。 IGBT(igbt模塊) 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔,反向電壓由J1結(jié)承擔。如果無N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平,因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。 IGBT(igbt模塊) 的轉(zhuǎn)...
    igbt模塊功能介紹
    IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。
    IGBT(igbt模塊) 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔,反向電壓由J1結(jié)承擔。如果無N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平,因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。
    IGBT(igbt模塊) 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同,當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi), Id 與Ugs呈線性關(guān)系。
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